碳化硅如,碳化硅工艺,碳化硅市场

该方法包括：步，将碳化硅泡沫陶瓷在～℃下预氧化处理～0小时；第二步，经步处理的碳化硅泡沫陶瓷在惰气氛或者真空下，在离子溅射镀膜机内，利用Al金属靶材，在泡沫陶瓷表面溅射一层金属Al；第三步，经第二步处理的碳化硅泡沫陶瓷在常温空气气氛下放置0～小时后，在～0℃氧化气氛下氧化处理～小时，然后再通入Ar或N7气缸内壁电镀镍-碳化硅工艺摘要本技术涉及一铝合金气缸内壁电镀工艺，气缸内壁经除油浸蚀阳极化后进行镍－碳化硅的复合电镀。其工艺简单，作容易，生产效率高，所得到的镀层硬度高，耐磨能好，大大提高了气缸的使用寿命，是一种理想的铝合金气缸内壁处理工艺。一种提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化能的表面改方法摘要本技术涉及泡沫陶瓷材料及材料表面改领域，具体指一种用于提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化能的表面改方法。该方法包括：将碳化硅泡沫陶瓷在-300℃下预氧化处理0-小时；经步骤处理的碳化硅泡沫陶瓷不经降温过程，换以清洁的惰气氛，继续在-300℃温度下保温处理-小时，然后缓慢冷却至室温。本技术所述方法作简单成本低廉适应强，对原始材料状态要求低可靠高，可应用于各种孔径的碳化硅泡沫陶瓷。一种再结晶碳化硅制品的制备技术摘要一种再结晶碳化硅制品的制备技术，其步骤为：将纯度％以上及一定颗粒级配的碳化硅粉末与硅粉和碳粉按比例均匀混合，再加入少量结合剂，采用常规工艺成型获得生坯制品；将该生坯置于烧结炉中，在其两端接上石墨电极并在周围用碳化硅粉和碳粉的混合粉末填充；给石墨电极通电，利用坯体的导电实现自身加热烧结，当温度达到℃～℃时保温～小时；然后继续升温至℃，保温～0小时，随炉自然冷却至室温，得到高纯度的再结晶碳化硅制品。该技术可以降低对碳化硅原料纯度和烧结设备的技术要求，缩短工艺过程，提高生产效率，从而显著降低再结晶碳化硅制品的制备成本，扩大应用领域。

如碳化硅

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